Semiconductor devices including a recessed isolation fill, and methods of making the same

Dispositifs à semi-conducteur comprenant un remplissage isolant en retrait, et leurs procédés de fabrication

Abstract

L'invention concerne des technologies de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs qui comprennent des structures d'isolation comportant un remplissage isolant en retrait. Dans certains modes de réalisation, les technologies comprennent des procédés pour former un remplissage isolant en retrait à l'intérieur d'une tranchée d'isolation qui isole électriquement l'une de l'autre au moins deux grilles de transistor actives. Dans d'autres modes de réalisation, des procédés de formation d'interconnexions locales dans la tranchée d'isolation sont également décrits. Des dispositifs à semi-conducteur comprenant des transistors actifs isolés par un remplissage isolant en retrait et des systèmes comprenant de tels dispositifs sont également décrits.
Technologies for manufacturing semiconductor devices including isolation structures having a recessed isolation fill are disclosed. In some embodiments the technologies include methods for forming a recessed isolation fill within an isolation trench that electrically isolate at least two active transistor gates from one another. In further embodiments, methods for forming local interconnects in the isolation trench are also disclosed. Semiconductor devices including active transistors isolated by a recessed isolation fill and systems including such devices are also described.

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